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Coordonnées

Doctorat

Intitulé : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
1ère inscription en thèse : Mai 2014
École doctorale : SCIENCES POUR L'INGENIEUR : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Date de soutenance de la thèse : 12 Décembre 2018
Sujet : modélisation multi-échelle des effets radiatifs pour l'électronique spatiale émergente : des transistors aux puces en orbite
Directeur de thèse : Jean-Luc AUTRAN
Co-directeur : Daniela MUNTEANU
Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Intitulé de l'équipe :

Master

Intitulé : Ingénieur diplômé de l'Ecole Supérieure d'Electricité
février 2014 - Ecole Supérieure d'Electricité (Supélec)

Langues vivantes

Anglais : C2 - Courant
Allemand : C2 - Courant
Français : C2 - Maternel

Production scientifique

  • Alpha soft error rate of FDSOI 28 nm SRAMs: Experimental testing and simulation analysis
    2015 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 2015
    Malherbe, V.; Gasiot, G.; Soussan, D.; Patris, A.; Autran, J.-L.; Roche, P.
    http://ieeexplore.ieee.org/document/7112829/
  • Muons and thermal neutrons SEU characterization of 28nm UTBB FD-SOI and Bulk eSRAMs
    Reliability Physics Symposium (IRPS), 2015 IEEE International 2015
    Gasiot, G.; Soussan, D.; Autran, J.-L.; Malherbe, V.; Roche, P.
    http://ieeexplore.ieee.org/document/7112677/
  • An Improved Particle-Level Charge Transport Model for the Simulation of Radiation-Induced Current Pulses in Bulk Silicon CMOS Technology
    Nuclear and Space Radiation Effect Conference 2015
    Victor Malherbe, Gilles Gasiot, Jean-Luc Autran, Philippe Roche
  • Investigating the single-event-transient sensitivity of 65 nm clock trees with heavy ion irradiation and Monte-Carlo simulation
    2016 IEEE International Reliability Physics Symposium 2016
    Victor Malherbe; Gilles Gasiot; Sylvain Clerc; Fady Abouzeid; Jean-Luc Autran; Philippe Roche
    http://ieeexplore.ieee.org/document/7574639/
  • On-Orbit Upset Rate Prediction at Advanced Technology Nodes: a 28 nm FD-SOI Case Study
    IEEE Transactions on Nuclear Science 2016
    Victor Malherbe, Gilles Gasiot, Dimitri Soussan, Jean-Luc Autran, Philippe Roche
  • Charge Collection Physical Modeling for Soft Error Rate Computational Simulation in Digital Circuits
    Modeling and Simulation in Engineering Sciences 2016
    Jean-Luc Autran, Daniela Munteanu, Soilihi Moindjie, Tarek Saad Saoud, Victor Malherbe, Gilles Gasiot, Sylvain Clerc, Philippe Roche
    http://www.intechopen.com/books/modeling-and-simulation-in-engineering-sciences/charge-collection-physical-modeling-for-soft-error-rate-computational-simulation-in-digital-circuits
  • Radiation-hardened CMOS logic device
    N/A 2016
    Gilles GASIOT. Victor MALHERBE. Sylvain CLERC.
  • Accurate Resolution of Time-Dependent and Circuit-Coupled Charge Transport Equations: 1D Case Applied to 28 nm FD-SOI Devices
    Transactions on Nuclear Science 2017
    Victor Malherbe, Gilles Gasiot, Thomas Thery, Jean-Luc Autran, Philippe Roche