Ecole Doctorale
SCIENCES POUR L'INGENIEUR : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Spécialité
Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
Etablissement
Aix-Marseille Université
Mots Clés
système mixte,Mémoire RRAM,Réseau de neurones binaires,
Keywords
mixed system,RRAM memory,Binarized neural network,
Titre de thèse
Conception d'un système mixte (Mémoire RRAM & numérique) ciblant un accélérateur matériel de réseau de neurones binaires
Design of mixed system (RRAM memory & digital) targeting binary neural network hardware accelerator
Date
Jeudi 6 Juillet 2023 à 10:30
Adresse
Campus de Polytech - Technopôle de Château-Gombert,13013 Marseille Amphi Néel
Jury
Directeur de these |
M. Jean-Michel PORTAL |
Aix Marseille Université |
Rapporteur |
Mme Lirida NAVINER |
Institut Polytechnique de Paris |
Rapporteur |
M. Fabien ALIBART |
Université de Lille |
Président |
M. Ian O'CONNOR |
Ecole Centrale de Lyon |
Examinateur |
M. Marc BOCQUET |
Aix Marseille Université |
Co-encadrant de these |
M. Damien QUERLIOZ |
Université Paris-Saclay |
Résumé de la thèse
Lindustrie de lInternet des Objets (IoT) cherche, désormais, à incorporer lIntelligence
Artificielle (AI) au sein même des capteurs. Cependant, elle fait face à des défis im-
portants liés particulièrement à la consommation dénergie et aux architectures de
traitement centrées sur le calcul. Les mémoires résistives (RRAM) et les concepts de
traitement dans ou près de la mémoire (IMC/NMC), associés à une implémentation
statique des poids des réseaux de neurones, semblent être un solution prometteuse
pour relever ces défis. Dans ce contexte, nous proposons une méthode de mesure de
la commutation des RRAMs en introduisant une technique de terminaison décriture
(WT). Des mesures approfondies montrent des vitesses de commutation comparables
aux méthodes de létat de lart actuelles sur des guides dondes dédiées et soulignent
limpact du WT sur la distribution de létat de faible résistance (LRS). Par ailleurs,
nous proposons un accélérateur de réseau de neurones binaires (BNN) utilisant une
technologie hybride RRAM/CMOS mettant en uvre une solution NMC. Cet accéléra-
teur est robuste et performant, même alimenté par une petite cellule solaire sous
un éclairage variable, le rendant adapté aux exigences extrêmes de lIoT. Enfin, nous
proposons une seconde version de cet accélérateur BNN en utilisant une solution
NMC analogique configurable, offrant une plus grande flexibilité pour implémenter
les différentes topologies de réseau.
Thesis resume
The Internet of Things (IoT) industry aims to integrate AI into sensors through edge
computing, but faces obstacles in power consumption and computing centric archi-
tecture. Emerging resistive memories and in/near memory computing (IMC/NMC)
concepts, combined with neural networks static weight mapping, show potential in
overcoming these challenges. To address this, we propose a method to measure RRAM
switching by introducing a write termination (WT) technique. Extensive measure-
ments demonstrate comparable switching speeds to current state-of-the-art methods
on dedicated wave-guide structures and highlight the impact of the WT circuit on the
Low Resistive State distribution. Furthermore, we develop a Binary Neural Network
(BNN) engine using a hybrid RRAM/CMOS technology to implement an NMC solution.
This accelerator is resilient and efficient, even when powered by a tiny solar cell under
varying illumination, making it an ideal fit for extreme edge requirements. Finally, we
suggest a second version of this BNN accelerator through the use of a configurable
analog NMC solution, offering greater flexibility in mapping various network topolo-
gies.