enseignant-chercheur, enseignant du supérieur*chercheur en milieu académique*
Coordonnées
Doctorat
Intitulé : PHYSIQUE & SCIENCES DE LA MATIERE - Spécialité : MATIERE CONDENSEE et NANOSCIENCES
1ère inscription en thèse :
Octobre 2015
École doctorale :
Physique et Sciences de la Matière
Date de soutenance de la thèse :
16 Novembre 2018
Sujet :
Etude des mécanismes de formation des siliciures par diffusion isotopique et sonde atomique tomographique
Directeur de thèse :
Dominique MANGELINCK
Co-directeur :
Christophe GIRARDEAUX
Unité de recherche :
IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Intitulé de l'équipe :
Master
Intitulé : Investigation on the low-temperature superplasticity and dynamic recrystallizationmechanism of the friction stir welded 5083 Al alloy
Juillet 2015 - Institute of Metal Research (IMR), Chinese Academic of Sciences
Langues vivantes
Anglais : C1 - Avancé
Chinois : C2 - Maternel
Production scientifique
-
Combined effect of Pt and W alloying elements on the Ni-silicide formation
Journal of Applied Physics
2018
T. Luo, D. Mangelinck, M. Descoins, M. Bertoglio, N. Mouaici, A. Hallén, and C. Girardeaux
https://doi.org/10.1063/1.5020435
-
PdGe contact fabrication on Ga-doped Ge: Influence of implantation-mediated defects
Scripta Materialia
2018
T.Luo,J.Perrin Toinin, M.Descoins, K.Hoummada, M.Bertoglio, L.Chow, D.Narducci, A.Portavoce
https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2018.02.037
-
Reactive diffusion in the presence of a diffusion barrier: Experiment and model
Journal of Applied Physics
2018
D. Mangelinck, T. Luo, and C. Girardeaux
https://doi.org/10.1063/1.5023578
-
Evolution of early formed NiSi2 during the reaction between Ni (W, Pt) film and Si (001)
Microelectronic Engineering
2018
T. Luo, M. Bertoglio, C. Girardeaux, D. Mangelinck
-
Role of the slow diffusion species in the dewetting of compounds: the case of NiSi on a Si isotope multilayer studied by atom probe tomography
Materials today
2018
T. Luo, C. Girardeaux, H. Bracht and D. Mangelinck
-
Phase formation sequence and cobalt behavior in the Ni0.9Co0.1 system during the thin film solid-state formation
Microelectronic Engineering
2018
P. Rodriguez, F. Deprat, C. Sésé, S. Zhiou, S. Favier, C. Fenouillet-Béranger, T. Luo, D. Mangelinck, P. Gergaud, F. Nemouchi