Poursuivre une démarche scientifique d'innovation et d'expertise professionnelle dans un secteur technologique de pointe.
Coordonnées
benjamin.vianne@gmail.com
Expérience professionelle
Domaine d'activité : Semiconducteurs
Type de contrat : CDI
Fonction exercée : Ingénieur modélisation TCAD
Organisme de rattachement ou entreprise :
STMicroelectronics
Ville : Crolles
Pays : FRANCE
Adresse professionnelle
850, rue Jean Monnet 38926 CROLLES CEDEX
0438923235
Techniques maîtrisées
Dispositifs semiconducteurs et microsystèmes
Procédés délaboration
Intégration 3D
Caractérisations physiques (SEM, TEM, AFM) et électriques (I-V, C-V)
Modélisation (ANSYS, MATLAB, ABAQUS, COMSOL, TCAD sous Sentaurus)
Compétences
Veille technologique
Etudes de marchés, benchmarking et analyses stratégiques
Rapports de synthèse
Doctorat
Intitulé : PHYSIQUE & SCIENCES DE LA MATIERE - Spécialité : MATIERE CONDENSEE et NANOSCIENCES
1ère inscription en thèse :
Janvier 2013
École doctorale :
Physique et Sciences de la Matière
Date de soutenance de la thèse :
27 Juin 2016
Sujet :
Intégration dun interposeur actif silicium pour lélaboration de circuits électroniques complexes.
Directeur de thèse :
Olivier THOMAS
Co-directeur :
Stéphanie BOZZO-ESCOUBAS
Unité de recherche :
IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Intitulé de l'équipe :
Master
Intitulé : Diplôme d'Ingénieur Institut polytechnique de Grenoble
Septembre 2012 - Grenoble INP Phelma - Ecole nationale supérieure de physique, électronique, matériaux
Mention : Très bien
Langues vivantes
Anglais : C2 - Courant
Espagnol : B2 - Intermédiaire supérieur
Production scientifique
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Strain and tilt mapping in silicon around copper filled TSVs using Advanced X-Ray nanodiffraction
Microelectronic Engineering
2015
B. Vianne, S. Escoubas, M.-I. Richard, S. Labat, G. Chahine, T. Schülli, A. Farcy, P. Bar, V. Fiori, O. Thomas
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931714005346
-
Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer
Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer
2015
Benjamin Vianne, Pierre Bar, Vincent Fiori, Sébastien Gallois-Garreignot, Komi Atchou Ewuame, Pascal Chausse, Stéphanie Escoubas, Nicolas Hotellier, Olivier Thomas
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271415000256
-
Through-silicon via-induced strain distribution in silicon interposer
Applied Physics Letters
2015
B. Vianne, M.-I. Richard, S. Escoubas, S. Labat, T. Schülli, G. Chahine, V. Fiori and O. Thomas
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/106/14/10.1063/1.4915604
-
Thermo-mechanical study of a 2.5D passive silicon interposer technology: Experimental, numerical and In-Situ stress sensors developments
3D Systems Integration Conference (3DIC), 2013 IEEE International
2013
B. Vianne, P. Bar, V. Fiori, S. Petitdidier, N. Chevrier, S. Gallois-Garreignot, A. Farcy, P. Chausse, S. Escoubas, N. Hotellier, and O. Thomas
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6702332
-
Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer
Thermal, mechanical and multi-physics simulation and experiments in microelectronics and microsystems (eurosime), 2014 15th international conference on
2014
B. Vianne, P. Bar, V. Fiori, S. Gallois-Garreignot, K. A. Ewuame, P. Chausse, S. Escoubas, N. Hotellier, and O. Thomas
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=6813829&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D6813829
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Stress Management Strategy to Limit Die Curvature During Silicon Interposer Integration
3D Systems Integration Conference (3DIC), 2013 IEEE International
2015
B. Vianne, A. Farcy, V. Fiori, C. Chappaz, N. Chevrier, G. Lobascio, P. Chausse, F. Ponthenier, A. Ruckly, S. Escoubas, O. Thomas
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Temperature dependency of the strain distribution induced by TSVs in silicon: A comparative study between micro-Laue and monochromatic nano-diffraction
Microelectronic Engineering
2016
B. Vianne, S. Escoubas, C. Krauss, M.-I. Richard, S. Labat, G. Chahine, J.-S. Micha, T. Schülli, V. Fiori, A. Farcy, O. Thomas
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931716301162