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Coordonnées

benjamin.vianne@gmail.com

Expérience professionelle

Domaine d'activité : Semiconducteurs
Type de contrat : CDI
Fonction exercée : Ingénieur modélisation TCAD
Organisme de rattachement ou entreprise : STMicroelectronics
Ville : Crolles
Pays : FRANCE

Adresse professionnelle

850, rue Jean Monnet 38926 CROLLES CEDEX
0438923235

Techniques maîtrisées

Dispositifs semiconducteurs et microsystèmes Procédés d’élaboration Intégration 3D Caractérisations physiques (SEM, TEM, AFM) et électriques (I-V, C-V) Modélisation (ANSYS, MATLAB, ABAQUS, COMSOL, TCAD sous Sentaurus)

Compétences

Veille technologique Etudes de marchés, benchmarking et analyses stratégiques Rapports de synthèse

Doctorat

Intitulé : PHYSIQUE & SCIENCES DE LA MATIERE - Spécialité : MATIERE CONDENSEE et NANOSCIENCES
1ère inscription en thèse : Janvier 2013
École doctorale : Physique et Sciences de la Matière
Date de soutenance de la thèse : 27 Juin 2016
Sujet : Intégration d’un interposeur actif silicium pour l’élaboration de circuits électroniques complexes.
Directeur de thèse : Olivier THOMAS
Co-directeur : Stéphanie BOZZO-ESCOUBAS
Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Intitulé de l'équipe :

Master

Intitulé : Diplôme d'Ingénieur Institut polytechnique de Grenoble
Septembre 2012 - Grenoble INP Phelma - Ecole nationale supérieure de physique, électronique, matériaux
Mention : Très bien

Langues vivantes

Anglais : C2 - Courant
Espagnol : B2 - Intermédiaire supérieur

Production scientifique

  • Strain and tilt mapping in silicon around copper filled TSVs using Advanced X-Ray nanodiffraction
    Microelectronic Engineering 2015
    B. Vianne, S. Escoubas, M.-I. Richard, S. Labat, G. Chahine, T. Schülli, A. Farcy, P. Bar, V. Fiori, O. Thomas
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931714005346
  • Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer
    Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer 2015
    Benjamin Vianne, Pierre Bar, Vincent Fiori, Sébastien Gallois-Garreignot, Komi Atchou Ewuame, Pascal Chausse, Stéphanie Escoubas, Nicolas Hotellier, Olivier Thomas
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271415000256
  • Through-silicon via-induced strain distribution in silicon interposer
    Applied Physics Letters 2015
    B. Vianne, M.-I. Richard, S. Escoubas, S. Labat, T. Schülli, G. Chahine, V. Fiori and O. Thomas
    http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/106/14/10.1063/1.4915604
  • Thermo-mechanical study of a 2.5D passive silicon interposer technology: Experimental, numerical and In-Situ stress sensors developments
    3D Systems Integration Conference (3DIC), 2013 IEEE International 2013
    B. Vianne, P. Bar, V. Fiori, S. Petitdidier, N. Chevrier, S. Gallois-Garreignot, A. Farcy, P. Chausse, S. Escoubas, N. Hotellier, and O. Thomas
    http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6702332
  • Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer
    Thermal, mechanical and multi-physics simulation and experiments in microelectronics and microsystems (eurosime), 2014 15th international conference on 2014
    B. Vianne, P. Bar, V. Fiori, S. Gallois-Garreignot, K. A. Ewuame, P. Chausse, S. Escoubas, N. Hotellier, and O. Thomas
    http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=6813829&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D6813829
  • Stress Management Strategy to Limit Die Curvature During Silicon Interposer Integration
    3D Systems Integration Conference (3DIC), 2013 IEEE International 2015
    B. Vianne, A. Farcy, V. Fiori, C. Chappaz, N. Chevrier, G. Lobascio, P. Chausse, F. Ponthenier, A. Ruckly, S. Escoubas, O. Thomas
  • Temperature dependency of the strain distribution induced by TSVs in silicon: A comparative study between micro-Laue and monochromatic nano-diffraction
    Microelectronic Engineering 2016
    B. Vianne, S. Escoubas, C. Krauss, M.-I. Richard, S. Labat, G. Chahine, J.-S. Micha, T. Schülli, V. Fiori, A. Farcy, O. Thomas
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931716301162