Monsieur Benjamin VIANNE / Docteur

Poursuivre une démarche scientifique d'innovation et d'expertise professionnelle dans un secteur technologique de pointe.

Coordonnées

benjamin.vianne@gmail.com

Adresse professionnelle

850, rue Jean Monnet, 38926 CROLLES CEDEX , FRANCE

0438923235

Expérience professionnelle

Domaine d'activité : Semiconducteurs

Type de contrat : Entreprises

Fonction exercée : Ingénieur modélisation TCAD

Organisme de rattachement ou entreprise : STMicroelectronics

Site internet de l'entreprise : http://www2.st.com/content/st_com/en.html

Taille de l'entreprise : 2000

Ville : Crolles

Pays : FRANCE

Emplois

Mobilité ? : Je saisirais toute opportunité me permettant de travailler à l'international.

Informations complémentaires : Rugby (niveau promotion honneur) Moto Musique (pratique de la guitare et de la batterie)

Recherche : NON

Compétences

Veille technologique Etudes de marchés, benchmarking et analyses stratégiques Rapports de synthèse

Techniques maîtrisées

Dispositifs semiconducteurs et microsystèmes Procédés d'élaboration Intégration 3D Caractérisations physiques (SEM, TEM, AFM) et électriques (I-V, C-V) Modélisation (ANSYS, MATLAB, ABAQUS, COMSOL, TCAD sous Sentaurus)

Doctorat

Titre : PHYSIQUE & SCIENCES DE LA MATIERE - Spécialité : MATIERE CONDENSEE et NANOSCIENCES

1ère inscription en thèse : 9 janvier 2013 / 4A

Ecole doctorale : Physique et Sciences de la Matière

Date de soutenance de thèse : 27 juin 2016

Sujet : Intégration d'un interposeur actif silicium pour l'élaboration de circuits électroniques complexes.

Directeur de thèse : THOMAS Olivier

Co-directeur : BOZZO-ESCOUBAS Stéphanie

Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Master

Titre : Diplôme d'Ingénieur Institut polytechnique de Grenoble

septembre 2012 - Grenoble INP Phelma - Ecole nationale supérieure de physique, électronique, matériaux

Mention : Très bien

Production scientifique

  • Strain and tilt mapping in silicon around copper filled TSVs using Advanced X-Ray nanodiffraction
    Microelectronic Engineering, 2015
    B. Vianne, S. Escoubas, M.-I. Richard, S. Labat, G. Chahine, T. Schülli, A. Farcy, P. Bar, V. Fiori, O. Thomas
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931714005346
  • Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer
    Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer, 2015
    Benjamin Vianne, Pierre Bar, Vincent Fiori, Sébastien Gallois-Garreignot, Komi Atchou Ewuame, Pascal Chausse, Stéphanie Escoubas, Nicolas Hotellier, Olivier Thomas
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271415000256
  • Through-silicon via-induced strain distribution in silicon interposer
    Applied Physics Letters, 2015
    B. Vianne, M.-I. Richard, S. Escoubas, S. Labat, T. Schülli, G. Chahine, V. Fiori and O. Thomas
    http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/106/14/10.1063/1.4915604
  • Thermo-mechanical study of a 2.5D passive silicon interposer technology: Experimental, numerical and In-Situ stress sensors developments
    3D Systems Integration Conference (3DIC), 2013 IEEE International, 2013
    B. Vianne, P. Bar, V. Fiori, S. Petitdidier, N. Chevrier, S. Gallois-Garreignot, A. Farcy, P. Chausse, S. Escoubas, N. Hotellier, and O. Thomas
    http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6702332
  • Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer
    Thermal, mechanical and multi-physics simulation and experiments in microelectronics and microsystems (eurosime), 2014 15th international conference on, 2014
    B. Vianne, P. Bar, V. Fiori, S. Gallois-Garreignot, K. A. Ewuame, P. Chausse, S. Escoubas, N. Hotellier, and O. Thomas
    http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=6813829&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D6813829
  • Stress Management Strategy to Limit Die Curvature During Silicon Interposer Integration
    3D Systems Integration Conference (3DIC), 2013 IEEE International, 2015
    B. Vianne, A. Farcy, V. Fiori, C. Chappaz, N. Chevrier, G. Lobascio, P. Chausse, F. Ponthenier, A. Ruckly, S. Escoubas, O. Thomas

  • Temperature dependency of the strain distribution induced by TSVs in silicon: A comparative study between micro-Laue and monochromatic nano-diffraction
    Microelectronic Engineering, 2016
    B. Vianne, S. Escoubas, C. Krauss, M.-I. Richard, S. Labat, G. Chahine, J.-S. Micha, T. Schülli, V. Fiori, A. Farcy, O. Thomas
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931716301162

Langues

Anglais : C2 - Courant

Espagnol : B2 - Intermédiaire supérieur