Monsieur Benjamin VIANNE / PhD

Poursuivre une démarche scientifique d'innovation et d'expertise professionnelle dans un secteur technologique de pointe.

Contact details

benjamin.vianne@gmail.com

Professional contact details

850, rue Jean Monnet, 38926 CROLLES CEDEX , FRANCE

0438923235

Professional experience

Field of activity : Semiconducteurs

Contract type : Entreprises

Function : Ingénieur modélisation TCAD

Organization or company : STMicroelectronics

Website : http://www2.st.com/content/st_com/en.html

Company size : 2000

City : Crolles

Country : FRANCE

Jobs

Comments on mobility : Je saisirais toute opportunité me permettant de travailler à l'international.

Additional information : Rugby (niveau promotion honneur) Moto Musique (pratique de la guitare et de la batterie)

Research : NON

Skills

Veille technologique Etudes de marchés, benchmarking et analyses stratégiques Rapports de synthèse

Techniques

Dispositifs semiconducteurs et microsystèmes Procédés d'élaboration Intégration 3D Caractérisations physiques (SEM, TEM, AFM) et électriques (I-V, C-V) Modélisation (ANSYS, MATLAB, ABAQUS, COMSOL, TCAD sous Sentaurus)

PhD

Title : PHYSIQUE & SCIENCES DE LA MATIERE - Spécialité : MATIERE CONDENSEE et NANOSCIENCES

First registration date : 9 January 2013 / 4A

Doctoral school : Physique et Sciences de la Matière

Thesis defense date : 27 June 2016

Subject : Intégration d'un interposeur actif silicium pour l'élaboration de circuits électroniques complexes.

Thesis supervisor : THOMAS Olivier

Thesis co-supervisor : BOZZO-ESCOUBAS Stéphanie

Research unit : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Master's degree

Title : Diplôme d'Ingénieur Institut polytechnique de Grenoble

September 2012 - Grenoble INP Phelma - Ecole nationale supérieure de physique, électronique, matériaux

Mention : Très bien

Publications

  • Strain and tilt mapping in silicon around copper filled TSVs using Advanced X-Ray nanodiffraction
    Microelectronic Engineering, 2015
    B. Vianne, S. Escoubas, M.-I. Richard, S. Labat, G. Chahine, T. Schülli, A. Farcy, P. Bar, V. Fiori, O. Thomas
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931714005346
  • Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer
    Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer, 2015
    Benjamin Vianne, Pierre Bar, Vincent Fiori, Sébastien Gallois-Garreignot, Komi Atchou Ewuame, Pascal Chausse, Stéphanie Escoubas, Nicolas Hotellier, Olivier Thomas
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271415000256
  • Through-silicon via-induced strain distribution in silicon interposer
    Applied Physics Letters, 2015
    B. Vianne, M.-I. Richard, S. Escoubas, S. Labat, T. Schülli, G. Chahine, V. Fiori and O. Thomas
    http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/106/14/10.1063/1.4915604
  • Thermo-mechanical study of a 2.5D passive silicon interposer technology: Experimental, numerical and In-Situ stress sensors developments
    3D Systems Integration Conference (3DIC), 2013 IEEE International, 2013
    B. Vianne, P. Bar, V. Fiori, S. Petitdidier, N. Chevrier, S. Gallois-Garreignot, A. Farcy, P. Chausse, S. Escoubas, N. Hotellier, and O. Thomas
    http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6702332
  • Thermo-mechanical characterization of passive stress sensors in Si interposer
    Thermal, mechanical and multi-physics simulation and experiments in microelectronics and microsystems (eurosime), 2014 15th international conference on, 2014
    B. Vianne, P. Bar, V. Fiori, S. Gallois-Garreignot, K. A. Ewuame, P. Chausse, S. Escoubas, N. Hotellier, and O. Thomas
    http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=6813829&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D6813829
  • Stress Management Strategy to Limit Die Curvature During Silicon Interposer Integration
    3D Systems Integration Conference (3DIC), 2013 IEEE International, 2015
    B. Vianne, A. Farcy, V. Fiori, C. Chappaz, N. Chevrier, G. Lobascio, P. Chausse, F. Ponthenier, A. Ruckly, S. Escoubas, O. Thomas

  • Temperature dependency of the strain distribution induced by TSVs in silicon: A comparative study between micro-Laue and monochromatic nano-diffraction
    Microelectronic Engineering, 2016
    B. Vianne, S. Escoubas, C. Krauss, M.-I. Richard, S. Labat, G. Chahine, J.-S. Micha, T. Schülli, V. Fiori, A. Farcy, O. Thomas
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931716301162

Languages

Anglais : C2 - Courant

Espagnol : B2 - Intermédiaire supérieur