Monsieur Marios BARLAS / Docteur

chercheur en entreprise, R&D du secteur privé*pilotage de la recherche et de l'innovation, gestion de projets innovants, pilotage de structures innovantes*expertise, études et conseils dans des organisations, cabinets ou sociétés fournissant des prestations intellectuelles, des expertises scientifiques, prospectives ou stratégiques*entrepreneur des domaines innovants*

Coordonnées

Expérience professionnelle

Domaine d'activité : Microelectronique

Type de contrat : Entreprises

Fonction exercée : Ingenieur Senior R&D - Dev. Techno

Organisme de rattachement ou entreprise : STMicroelectronics

Site internet de l'entreprise : https://www.st.com/content/st_com/en.html

Taille de l'entreprise : 2000

Ville : Grenoble

Pays : FRANCE

Emplois

Informations complémentaires : Karate, plongée

Recherche : NON

Compétences

R, Python, OriginLab OriginPro, Matlab. Linux, Fortran 90/95 & 2003, C++ & MS Office

Techniques maîtrisées

Technologie CMOS / Techonlogie memoires non volatiles / Imageurs CMOS Non-volatile memory and CMOS technology characterization. SPC, DOE. Electrical measurements in low (Helium/Nitrogen) and High temperatures. Experienced with various Agilent/Keithley parameter analyzers and semi-auto / full auto probe stations. Statistical analysis of ReRAM array electrical data. SEM&CD-SEM.. Ellipsometry. XRR, XPS and SIMS data analysis. • Experience with early MOL and BEOL integration routes in both 200mm and 300mm technologies (130nm to 28nm FDSOI nodes & Experimental 20nm Trigate on FDSOI). Good understanding of 28nm FDSOI FEOL. ALD, sputtering, Optical & E-beam lithography, Dry and Wet Etching of Si, metals and high-ks COMSOL Multiphysics. Working experience with Synopsis TCAD (sprocess, sdevice) & Silvaco Athena/Atlas

Doctorat

Titre : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique

1ère inscription en thèse : 2 novembre 2015 / 4A

Ecole doctorale : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique

Date de soutenance de thèse : 3 juillet 2019

Sujet : Développement et caractérisation de memoires non volatiles OxRAM innovantes fortement intégrées à des transistors SOI pour les nœuds avancés

Directeur de thèse : PORTAL Jean-Michel

Co-directeur : DELERUYELLE Damien

Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Master

Titre : Bien

septembre 2015 - EPFL

Production scientifique

  • Effect of Hf metal layer on the switching characteristic of HfOX-based Resistive Random Access Memory
    IEEE Proceedings, 2016
    Behnoush Attarimashalkoubeh, Jury Sandrini, Elmira Shahrabi, Marios Barlas, Yusuf Leblebici
    http://ieeexplore.ieee.org/document/7519515/
  • Stacked Nanowires FETs: Mechanical Robustness Evaluation for sub-7nm Nodes
    Silicon Nanoelectronics Workshop 2016, 2016
    Loic Gaben, Arthur Arnaud, Marios Barlas, M. P. Samson, C. Arvet, C. Vizioz, Jean-Michel Hartmann, S. Barraud, S. Monfray, F. Boeuf, T. Skotnicki, Francis Balestra, M. Vinet

  • Impact of Si/Al implantation on the forming voltage and pre-forming conduction modes in HfO2 based OxRAM cells
    ESSDERC/ESSCIRC 2016, 2016
    M. Barlas1, B. Traoré, L. Grenouillet, S. Bernasconi, P. Blaise, M. Alayan, B. Sklenard, E. Jalaguier, P. Rodriguez, F. Mazen, E. Vilain, M. Guillermet, S. Jeannot, E. Vianello, L. Perniola

  • DISPOSITIF DE SÉLECTION D'UNE CELLULE MÉMOIRE
    EU Patent, 2016
    M. Barlas, L. Grenouillet, E. Vianello, P. Blaise, B. Sklenard

  • CELLULE MEMOIRE NON-VOLATILE RESISTIVE A BASE D'OXYDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
    EU Patent, 2016
    L. Grenouillet, M. Barlas, E. Vianello, P. Blaise, B. Sklenard

  • OxRAM integration above FDSOI transistor drain: Integration approach and process impact on electrical characteristics
    SSDM 2017, 2017
    M. Barlas1*, L. Grenouillet1, E. Vianello1, V. Delaye1, T. Dewolf1, G. Audoit1, N. Rambal1, S. Bernasconi1, C. Vizioz1, N. Posseme1, C. Arvet2, S. Barnola1, B. Bouix1, O. Pollet1, C. Comboroure2, N. Allouti1, P. Rodriguez1, V. Beugin1, V. Loup1, C. Tallaron2, S. Chevalliez1, R. Coquand1, C. Jahan1, S. Reboh1, A. Toffoli1, S. Barraud1, L. Brevard1, Y. Morand1, M. Vinet1, O. Faynot1, and L. Perniola1

  • Improvement of HfO2 based RRAM array performances by local Si implantation
    International Electron Devices Meeting, 2017
    M. Barlas, A. Grossi, L. Grenouillet, E. Vianello, E. Nolot, N. Vaxelaire, P. Blaise, B. Traoré, J. Coignus, F. Perrin, R. Crochemore, F. Mazen, L. Lachal, S. Pauliac, C. Pellissier, S. Bernasconi, S. Chevalliez, J.F. Nodin, L. Perniola, E. Nowak

  • Mémoire non volatile favorisante une grande densité d' intégration
    EU / US Patent, 2017
    J.M. Portal, M. Barlas, L. Grenouillet, E. Vianello

  • Méthode pour réduire la variabilité des mémoires non-volatiles type RRAM a la base d' HfO2
    EU / US Patent, 2017
    M. Barlas, L. Grenouillet, B. Traoré, P. Blaise

Langues

Anglais : C2 - Courant

Français : C2 - Courant

Italien : B2 - Intermédiaire supérieur

Grec moderne : Maternel