Monsieur Marios BARLAS / PhD

chercheur en entreprise, R&D du secteur privé*pilotage de la recherche et de l'innovation, gestion de projets innovants, pilotage de structures innovantes*expertise, études et conseils dans des organisations, cabinets ou sociétés fournissant des prestations intellectuelles, des expertises scientifiques, prospectives ou stratégiques*entrepreneur des domaines innovants*

Contact details

Professional experience

Field of activity : Microelectronique

Contract type : Entreprises

Function : Ingenieur Senior R&D - Dev. Techno

Organization or company : STMicroelectronics

Website : https://www.st.com/content/st_com/en.html

Company size : 2000

City : Grenoble

Country : FRANCE

Jobs

Additional information : Karate, plongée

Research : NON

Skills

R, Python, OriginLab OriginPro, Matlab. Linux, Fortran 90/95 & 2003, C++ & MS Office

Techniques

Technologie CMOS / Techonlogie memoires non volatiles / Imageurs CMOS Non-volatile memory and CMOS technology characterization. SPC, DOE. Electrical measurements in low (Helium/Nitrogen) and High temperatures. Experienced with various Agilent/Keithley parameter analyzers and semi-auto / full auto probe stations. Statistical analysis of ReRAM array electrical data. SEM&CD-SEM.. Ellipsometry. XRR, XPS and SIMS data analysis. • Experience with early MOL and BEOL integration routes in both 200mm and 300mm technologies (130nm to 28nm FDSOI nodes & Experimental 20nm Trigate on FDSOI). Good understanding of 28nm FDSOI FEOL. ALD, sputtering, Optical & E-beam lithography, Dry and Wet Etching of Si, metals and high-ks COMSOL Multiphysics. Working experience with Synopsis TCAD (sprocess, sdevice) & Silvaco Athena/Atlas

PhD

Title : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique

First registration date : 2 November 2015 / 4A

Doctoral school : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique

Thesis defense date : 3 July 2019

Subject : Développement et caractérisation de memoires non volatiles OxRAM innovantes fortement intégrées à des transistors SOI pour les nœuds avancés

Thesis supervisor : PORTAL Jean-Michel

Thesis co-supervisor : DELERUYELLE Damien

Research unit : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Master's degree

Title : Bien

September 2015 - EPFL

Publications

  • Effect of Hf metal layer on the switching characteristic of HfOX-based Resistive Random Access Memory
    IEEE Proceedings, 2016
    Behnoush Attarimashalkoubeh, Jury Sandrini, Elmira Shahrabi, Marios Barlas, Yusuf Leblebici
    http://ieeexplore.ieee.org/document/7519515/
  • Stacked Nanowires FETs: Mechanical Robustness Evaluation for sub-7nm Nodes
    Silicon Nanoelectronics Workshop 2016, 2016
    Loic Gaben, Arthur Arnaud, Marios Barlas, M. P. Samson, C. Arvet, C. Vizioz, Jean-Michel Hartmann, S. Barraud, S. Monfray, F. Boeuf, T. Skotnicki, Francis Balestra, M. Vinet

  • Impact of Si/Al implantation on the forming voltage and pre-forming conduction modes in HfO2 based OxRAM cells
    ESSDERC/ESSCIRC 2016, 2016
    M. Barlas1, B. Traoré, L. Grenouillet, S. Bernasconi, P. Blaise, M. Alayan, B. Sklenard, E. Jalaguier, P. Rodriguez, F. Mazen, E. Vilain, M. Guillermet, S. Jeannot, E. Vianello, L. Perniola

  • DISPOSITIF DE SÉLECTION D'UNE CELLULE MÉMOIRE
    EU Patent, 2016
    M. Barlas, L. Grenouillet, E. Vianello, P. Blaise, B. Sklenard

  • CELLULE MEMOIRE NON-VOLATILE RESISTIVE A BASE D'OXYDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
    EU Patent, 2016
    L. Grenouillet, M. Barlas, E. Vianello, P. Blaise, B. Sklenard

  • OxRAM integration above FDSOI transistor drain: Integration approach and process impact on electrical characteristics
    SSDM 2017, 2017
    M. Barlas1*, L. Grenouillet1, E. Vianello1, V. Delaye1, T. Dewolf1, G. Audoit1, N. Rambal1, S. Bernasconi1, C. Vizioz1, N. Posseme1, C. Arvet2, S. Barnola1, B. Bouix1, O. Pollet1, C. Comboroure2, N. Allouti1, P. Rodriguez1, V. Beugin1, V. Loup1, C. Tallaron2, S. Chevalliez1, R. Coquand1, C. Jahan1, S. Reboh1, A. Toffoli1, S. Barraud1, L. Brevard1, Y. Morand1, M. Vinet1, O. Faynot1, and L. Perniola1

  • Improvement of HfO2 based RRAM array performances by local Si implantation
    International Electron Devices Meeting, 2017
    M. Barlas, A. Grossi, L. Grenouillet, E. Vianello, E. Nolot, N. Vaxelaire, P. Blaise, B. Traoré, J. Coignus, F. Perrin, R. Crochemore, F. Mazen, L. Lachal, S. Pauliac, C. Pellissier, S. Bernasconi, S. Chevalliez, J.F. Nodin, L. Perniola, E. Nowak

  • Mémoire non volatile favorisante une grande densité d' intégration
    EU / US Patent, 2017
    J.M. Portal, M. Barlas, L. Grenouillet, E. Vianello

  • Méthode pour réduire la variabilité des mémoires non-volatiles type RRAM a la base d' HfO2
    EU / US Patent, 2017
    M. Barlas, L. Grenouillet, B. Traoré, P. Blaise

Languages

Anglais : C2 - Courant

Français : C2 - Courant

Italien : B2 - Intermédiaire supérieur

Grec moderne : Maternel