Monsieur Damien ANGOT / Docteur

Coordonnées

Emplois

Disponibilité : 1 2015

Recherche : OUI

Techniques maîtrisées

C/C++; Matlab; Comsol Multiphysics; Maple; NanoHUB ; Cadence ; Labview ; Bureautique.

Doctorat

Titre : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique

1ère inscription en thèse : 2 novembre 2011 / 3A

Ecole doctorale : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique

Date de soutenance de thèse : 5 décembre 2014

Sujet : Fiabilité et Variabilité Temporelle des Technologies CMOS FDSOI 28-20nm, du Transistor au circuit Intégré

Directeur de thèse : BRAVAIX Alain

Co-directeur :

Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Master

Titre : Diplôme d'ingénieur Institut polytechnique de Grenoble

septembre 2011 - Ecole nationale supérieure de physique, électronique, matériaux

Mention : Très Bien

Production scientifique

  • New insights into NBTI reliability in UTBOX-FDSOI PMOS transistors
    IRW 2012, 2012
    Angot, D. ; Rideau, D. ; Bravaix, A. ; Monsieur, F. ; Randriamihaja, Y.M. ; Huard, V.

  • Bias temperature instability and hot carrier circuit ageing simulations specificities in UTBB FDSOI 28nm node
    IRPS 2013, 2013
    Angot, D. ; Huard, V. ; Federspiel, X. ; Cacho, F. ; Bravaix, A.

  • BTI variability: Fundamental understandings and Impact on digital logic by the use of extensive dataset
    IEDM, 2013
    D. Angot, V. Huard, L. Rahhal, A. Cros, X. Federspiel, A. Bajolet, Y. Carminati, M. Saliva, E. Pion, F. Cacho, A. Bravaix

  • The impact of high Vth drifts tail and real workloads on SRAM reliability
    IRPS 2014, 2014
    Angot, D. ; Huard, V. ; Quoirin, M. ; Federspiel, X. ; Haendler, S. ; Saliva, M. ; Bravaix, A.

Langues

Anglais : C2 - Courant

Allemand : B2 - Intermédiaire supérieur

Suédois : A2 - Élémentaire