Monsieur Damien ANGOT / PhD

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Availability : 1 2015

Research : OUI

Techniques

C/C++; Matlab; Comsol Multiphysics; Maple; NanoHUB ; Cadence ; Labview ; Bureautique.

PhD

Title : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique

First registration date : 2 November 2011 / 3A

Doctoral school : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique

Thesis defense date : 5 December 2014

Subject : Fiabilité et Variabilité Temporelle des Technologies CMOS FDSOI 28-20nm, du Transistor au circuit Intégré

Thesis supervisor : BRAVAIX Alain

Thesis co-supervisor :

Research unit : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Master's degree

Title : Diplôme d'ingénieur Institut polytechnique de Grenoble

September 2011 - Ecole nationale supérieure de physique, électronique, matériaux

Mention : Très Bien

Publications

  • New insights into NBTI reliability in UTBOX-FDSOI PMOS transistors
    IRW 2012, 2012
    Angot, D. ; Rideau, D. ; Bravaix, A. ; Monsieur, F. ; Randriamihaja, Y.M. ; Huard, V.

  • Bias temperature instability and hot carrier circuit ageing simulations specificities in UTBB FDSOI 28nm node
    IRPS 2013, 2013
    Angot, D. ; Huard, V. ; Federspiel, X. ; Cacho, F. ; Bravaix, A.

  • BTI variability: Fundamental understandings and Impact on digital logic by the use of extensive dataset
    IEDM, 2013
    D. Angot, V. Huard, L. Rahhal, A. Cros, X. Federspiel, A. Bajolet, Y. Carminati, M. Saliva, E. Pion, F. Cacho, A. Bravaix

  • The impact of high Vth drifts tail and real workloads on SRAM reliability
    IRPS 2014, 2014
    Angot, D. ; Huard, V. ; Quoirin, M. ; Federspiel, X. ; Haendler, S. ; Saliva, M. ; Bravaix, A.

Languages

Anglais : C2 - Courant

Allemand : B2 - Intermédiaire supérieur

Suédois : A2 - Élémentaire