Madame Wafa ARFAOUI / Docteur
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Doctorat
Titre : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
1ère inscription en thèse : 15 octobre 2012 / 3A
Ecole doctorale : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Date de soutenance de thèse : 24 septembre 2015
Sujet : Fiabilité Porteurs Chauds (HCI) des transistors FDSOI 28nm High-K grille métal
Directeur de thèse : BRAVAIX Alain
Co-directeur : MUNTEANU Daniela
Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Master
Titre : Micro et Nanoélectronique
septembre 2012 - Faculté des sciences et techniques de Saint Jérome
Mention : Bien
Production scientifique
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Experimental analysis of defect nature and localization under Hot-Carrier and Bias Temperature damage in advanced CMOS nodes
IEEE, 2013
w. Arfaoui, X. Federspiel, A. Bravaix, P. Mora, M. Rafik, D. Roy
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Energy driven Hot Carrier model in advanced nodes
IIRPS, 2014
W.Arfaoui, X. Federspiel, P. Mora, F. Monsieur, F.Cacho, D. Roy, A. Bravaix
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Application of compact HCI model to prediction of Process effect in 28FDSOI technology
IIRW, 2014
W.Arfaoui, X. Federspiel, A. Bravaix, P. Mora, A. Cros, D. Roy
Langues
Italien : B1 - Intermédiaire
Français : C2 - Courant
Anglais : B2 - Intermédiaire supérieur
Arabe : C2 - Maternel