Madame Wafa ARFAOUI / PhD

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Research : NON

Title : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique

First registration date : 15 October 2012 / 3A

Doctoral school : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique

Thesis defense date : 24 September 2015

Subject : Fiabilité Porteurs Chauds (HCI) des transistors FDSOI 28nm High-K grille métal

Thesis supervisor : BRAVAIX Alain

Thesis co-supervisor : MUNTEANU Daniela

Research unit : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Title : Micro et Nanoélectronique

September 2012 - Faculté des sciences et techniques de Saint Jérome

Mention : Bien

Experimental analysis of defect nature and localization under Hot-Carrier and Bias Temperature damage in advanced CMOS nodes
IEEE, 2013
w. Arfaoui, X. Federspiel, A. Bravaix, P. Mora, M. Rafik, D. Roy
Energy driven Hot Carrier model in advanced nodes
IIRPS, 2014
W.Arfaoui, X. Federspiel, P. Mora, F. Monsieur, F.Cacho, D. Roy, A. Bravaix
Application of compact HCI model to prediction of Process effect in 28FDSOI technology
IIRW, 2014
W.Arfaoui, X. Federspiel, A. Bravaix, P. Mora, A. Cros, D. Roy

Italien : B1 - Intermédiaire

Français : C2 - Courant

Anglais : B2 - Intermédiaire supérieur

Arabe : C2 - Maternel