Monsieur Mike EL KOUSSEIFI / Docteur

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Titre : PHYSIQUE & SCIENCES DE LA MATIERE - Spécialité : MATIERE CONDENSEE et NANOSCIENCES

1ère inscription en thèse : 1 octobre 2011 / 3A

Ecole doctorale : Physique et Sciences de la Matière

Date de soutenance de thèse : 6 novembre 2014

Sujet : Contact à base des siliciures de Ni: diffusion et réaction dans les films nanometrique et les nanofils

Directeur de thèse : MANGELINCK Dominique

Co-directeur :

Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Titre : master sciences, technologies, sante, physique

juillet 2011 - universite de provence

Mention : Bien

Ni silicide nanowires analysis by atom probe tomography
Microelectronic Engineering, 2014
M. El Kousseifi, F. Panciera, K. Hoummada, M. Descoins, T. Baron, D. Mangelinck
Ni(Pt)-silicide contacts on CMOS devices: Impact of substrate nature and Pt concentration on the phase formation
Microelectronic Engineering, 2014
F. Panciera, K. Hoummada, C. Perrin, M. El Kousseifi, R. Pantel, M. Descoins, M. Gregoire, M. Juhel, D. Mangelinck
Atom probe tomography for advanced metallization
Microelectronic Engineering, 2014
D. Mangelinck, F. Panciera, K. Hoummada, M. El Kousseifi, C. Perrin, M. Descoins, A. Portavoce
Progress in the understanding of Ni silicide formation for advanced MOS structures
physica status solidi (a), 2014
D. Mangelinck1,*, K. Hoummada1, F. Panciera1,2, M. El Kousseifi1, I. Blum1, M. Descoins1, M. Bertoglio1, A. Portavoce1, C. Perrin1 M. Putero1
Ni silicide study at the atomic scale: diffusing species, relaxation and grooving mechanisms
Acta Materialia, 2014
M. El Kousseifi1, K. Hoummada1, D. Mangelinck1

Anglais : C2 - Courant

Français : C2 - Courant

Arabe : C2 - Maternel