Monsieur Benjamin REBUFFAT / Docteur
Coordonnées
Emplois
Recherche : NON
Doctorat
Titre : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
1ère inscription en thèse : 8 octobre 2012 / 3A
Ecole doctorale : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Date de soutenance de thèse : 15 décembre 2015
Sujet : Fiabilité des mémoires non volatiles
Directeur de thèse : LAFFONT Romain
Co-directeur :
Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Master
Titre : Ingénieur en électronique
septembre 2012 - ISEN
Production scientifique
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Effect of AC Stress on Oxide TDDB and Trapped Charge in Interface States
2014
B. Rebuffat, P. Masson, J-L. Ogier, M. Mantelli, R. Laffont
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Effect on Ions Presence in the SiOCH Inter Metal Dielectric Structure
2013
B. Rebuffat, V. Della Marca, P. Masson, J-L. Ogier, M. Mantelli, R. Laffont
Langues
Espagnol : B1 - Intermédiaire
Anglais : B2 - Intermédiaire supérieur