Monsieur Benjamin REBUFFAT / PhD
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Research : NON
PhD
Title : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
First registration date : 8 October 2012 / 3A
Doctoral school : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Thesis defense date : 15 December 2015
Subject : Fiabilité des mémoires non volatiles
Thesis supervisor : LAFFONT Romain
Thesis co-supervisor :
Research unit : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Master's degree
Title : Ingénieur en électronique
September 2012 - ISEN
Publications
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Effect of AC Stress on Oxide TDDB and Trapped Charge in Interface States
2014
B. Rebuffat, P. Masson, J-L. Ogier, M. Mantelli, R. Laffont
-
Effect on Ions Presence in the SiOCH Inter Metal Dielectric Structure
2013
B. Rebuffat, V. Della Marca, P. Masson, J-L. Ogier, M. Mantelli, R. Laffont
Languages
Espagnol : B1 - Intermédiaire
Anglais : B2 - Intermédiaire supérieur