chercheur en entreprise, R&D du secteur privé*pilotage de la recherche et de l’innovation, gestion de projets innovants, pilotage de structures innovantes*métiers d’accompagnement et de support à la recherche, à l’innovation et à la valorisation, au développement des Spin Off et Start-up innovantes*expertise, études et conseils dans des organisations, cabinets ou sociétés fournissant des prestations intellectuelles, des expertises scientifiques, prospectives ou stratégiques*entrepreneur des domaines innovants*Pilote de ligne

Coordonnées

jjfagot@gmail.com

Techniques maîtrisées

Physique du semi-conducteur Microélectronioque Design analogique Simulation process Dessin de layout Mesures électriques manuelles

Compétences

Programmation JAVA, C#, Ruby, HTML, PHP

Doctorat

Intitulé : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
1ère inscription en thèse : Mars 2016
École doctorale : SCIENCES POUR L'INGENIEUR : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Date de soutenance de la thèse : 3 Décembre 2019
Sujet : Développement de nouvelles architectures de sélecteurs pour mémoires non-volatiles embarquées dans des plateformes technologiques avancées 28nm
Directeur de thèse : Damien DELERUYELLE
Co-directeur : Pascal Masson
Unité de recherche : IM2NP - INSTITUT MATERIAUX MICROELECTRONIQUE NANOSCIENCES DE PROVENCE
Intitulé de l'équipe :

Master

Intitulé : Diplôme de l'Ecole Polytechnique de l'université de Nice
Septembre 2015 - Polytech Nice-Sophia

Langues vivantes

Anglais : C2 - Maternel
Français : Maternel

Production scientifique

  • Développement de nouvelles architectures de sélecteurs pour mémoires non-volatiles embarquées dans des plateformes technologiques avancées 28nm
    JNRDM 2016
    Jean-Jacques FAGOT
  • Low Cost Diode as Selector Device for Embedded Phase Change Memory in Advanced FD-SOI Technology
    IMW2018 2018
    J.J. Fagot, P. Boivin, V. Della-Marca, J. Postel-Pellerin, D. Deleruyelle, O. Weber, E. Richard, F. Arnaud
  • Method for producing transistors, in particular selection transistors for non-volatile memory, and corresponding device
    US Application 2018
    Jean-Jacques Fagot, Philippe Boivin
    https://patents.google.com/patent/US20180076265A1/fr