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Adresse professionnelle

Doctorat

Intitulé : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
1ère inscription en thèse : Octobre 2012
École doctorale : SCIENCES POUR L'INGENIEUR : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Date de soutenance de la thèse : 24 Septembre 2015
Sujet : Fiabilité Porteurs Chauds (HCI) des transistors FDSOI 28nm High-K grille métal
Directeur de thèse : Alain BRAVAIX
Co-directeur : Daniela MUNTEANU
Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Intitulé de l'équipe :

Master

Intitulé : Micro et Nanoélectronique
Septembre 2012 - Faculté des sciences et techniques de Saint Jérome
Mention : Bien

Langues vivantes

Italien : B1 - Intermédiaire
Français : C2 - Courant
Anglais : B2 - Intermédiaire supérieur
Arabe : C2 - Maternel

Production scientifique

  • Experimental analysis of defect nature and localization under Hot-Carrier and Bias Temperature damage in advanced CMOS nodes
    IEEE 2013
    w. Arfaoui, X. Federspiel, A. Bravaix, P. Mora, M. Rafik, D. Roy
  • Energy driven Hot Carrier model in advanced nodes
    IIRPS 2014
    W.Arfaoui, X. Federspiel, P. Mora, F. Monsieur, F.Cacho, D. Roy, A. Bravaix
  • Application of compact HCI model to prediction of Process effect in 28FDSOI technology
    IIRW 2014
    W.Arfaoui, X. Federspiel, A. Bravaix, P. Mora, A. Cros, D. Roy