Coordonnées
arfaouiwafa@yahoo.fr
Adresse professionnelle
Doctorat
Intitulé : « Sciences pour l'ingénieur » : spécialité « Micro et Nanoélectronique »
1ère inscription en thèse :
Octobre 2012
École doctorale :
SCIENCES POUR L'INGENIEUR : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Date de soutenance de la thèse :
24 Septembre 2015
Sujet :
Fiabilité Porteurs Chauds (HCI) des transistors FDSOI 28nm High-K grille métal
Directeur de thèse :
Alain BRAVAIX
Co-directeur :
Daniela MUNTEANU
Unité de recherche :
IM2NP - INSTITUT MATERIAUX MICROELECTRONIQUE NANOSCIENCES DE PROVENCE
Intitulé de l'équipe :
Master
Intitulé : Micro et Nanoélectronique
Septembre 2012 - Faculté des sciences et techniques de Saint Jérome
Mention : Bien
Langues vivantes
Italien : B1 - Intermédiaire
Français : C2 - Courant
Anglais : B2 - Intermédiaire supérieur
Arabe : C2 - Maternel
Production scientifique
-
Experimental analysis of defect nature and localization under Hot-Carrier and Bias Temperature damage in advanced CMOS nodes
IEEE
2013
w. Arfaoui, X. Federspiel, A. Bravaix, P. Mora, M. Rafik, D. Roy
-
Energy driven Hot Carrier model in advanced nodes
IIRPS
2014
W.Arfaoui, X. Federspiel, P. Mora, F. Monsieur, F.Cacho, D. Roy, A. Bravaix
-
Application of compact HCI model to prediction of Process effect in 28FDSOI technology
IIRW
2014
W.Arfaoui, X. Federspiel, A. Bravaix, P. Mora, A. Cros, D. Roy
