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Doctorat

Intitulé : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
1ère inscription en thèse : Octobre 2014
École doctorale : SCIENCES POUR L'INGENIEUR : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Date de soutenance de la thèse : 19 Octobre 2017
Sujet : Modélisation du transport quantique de transistors double-grille: influence de la contrainte, du matériau et de la diffusion par les phonons
Directeur de thèse : Marc BESCOND
Co-directeur : Nicolas CAVASSILAS
Unité de recherche : IM2NP - INSTITUT MATERIAUX MICROELECTRONIQUE NANOSCIENCES DE PROVENCE
Intitulé de l'équipe :

Master

Intitulé : Micro et Nano-électronique
Septembre 2014 - Université d'Aix-Marseille
Mention : B

Langues vivantes

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Production scientifique

  • Influence of uniaxial strain in Si and Ge p-type double-gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors
    Journal of Applied Physics 2015
    Manel Moussavou, Nicolas Cavassilas, Elias Dib1, and Marc Bescond
    http://dx.doi.org/10.1063/1.4930567
  • Influence of mechanical strain in Si and Ge p-type double gate MOSFETs
    SISPAD Proceeding 2015 2015
    M. Moussavou, N. Cavassilas, E. Dib and M. Bescond