DOCTORANT – INGENIEUR MICROELECTRONIQUE ET FIABILITE COMPOSANTS ET CIRCUITS

Coordonnées

ndiaye.cheikh1989@gmail.com

Adresse professionnelle

850 Rue Jean Monnet 38926 CROLLES CEDEX
0438923487

Doctorat

Intitulé : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
1ère inscription en thèse : Avril 2014
École doctorale : SCIENCES POUR L'INGENIEUR : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Date de soutenance de la thèse : 7 Juillet 2017
Sujet : Etude de la Fiabilité de type Negative Bias Temperature Instability (NBTI) et par Porteurs Chauds (HC) dans les filières 28nm et 14 nm FDSOI
Directeur de thèse : Alain BRAVAIX
Co-directeur : Lorena ANGHEL
Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Intitulé de l'équipe :

Master

Intitulé : Microélectronique et Télécommunications
Septembre 2013 - Polytech Marseille
Mention : A.Bien

Langues vivantes

Français : C2 - Courant
Anglais : B2 - Intermédiaire supérieur
Wolof : C2 - Maternel

Production scientifique

  • Performance vs. reliability adaptive body bias scheme in 28 nm & 14 nm UTBB FDSOI nodes
    Microelectronics Reliability 2016
    C. Ndiaye, V. Huard, X. Federspiel, F. Cachoa, A. Bravaix
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271416302311
  • Layout Dependent Effect: Impact on device performance and reliability in recent CMOS nodes.
    IIRW 2016
    C. Ndiaye, V. Huard1, R. Bertholon1, M. Rafik, X. Federspiel, A. Bravaix
  • NEW INSIGHTS ON STRAINED SIGE CHANNELS PFET NBTI RELIABILITY
    IEEE-IRPS 2017
    C. Ndiaye, A. Bravaix, M. Arabi, R. Berthelon, V. Huard, X. Federspield
  • Reliability Compact Modeling approach for Layout Dependent Effects in advanced CMOS nodes
    IEEE-IRPS 2017
    C.Ndiaye, R. Berthelon,V. Huard, A.Bravaix, C. Diouf, F. Andrieu, S.Ortolland
  • Potentiality of Healing Techniques in Hot-Carrier Damaged 28nm FDSOI CMOS nodes
    Microelectronics Reliability 2016
    A. Bravaix, F. Cacho, X. Federspiel, C. Ndiaye, S. Mhira, V. Huard
  • Hot-Carrier and BTI Damage Distinction for High Performance Digital Application in 28nm FDSOI and 28nm LP CMOS nodes
    IEEE IOLTS 2016
    A. Bravaix, M. Saliva, F. Cacho, X. Federspiel, C. Ndiaye, S. Mhira, E. Kussener, E. Pauly, V. Huard