Monsieur Omar ABBES / Docteur


Enseignant

Coordonnées

Expérience professionnelle

Domaine d'activité : Physique

Type de contrat : ATER

Organisme de rattachement ou entreprise : AMU

Ville : Marseille

Pays : FRANCE

Emplois

Recherche : NON

Doctorat

Titre : SCIENCES DES MATERIAUX, PHYSIQUE, CHIMIE ET NANOSCIENCES

1ère inscription en thèse : 1 septembre 2009 / 4A

Ecole doctorale : Physique et Sciences de la Matière

Date de soutenance de thèse : 28 février 2013

Sujet : Etude de la diffusion réactive entre Mn et Ge à l'échelle nanométrique pour des applications en spintronique

Directeur de thèse : GIRARDEAUX Christophe

Co-directeur : PORTAVOCE Alain

Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Master

Titre : Microélectronique et Nanoélectronique

septembre 2009 - Universités de Provence

Mention : Bien

Production scientifique

  • Formation of Platinum silicide on doped silicon: kinetics and stress
    Thin Solid Films, 2012
    O. Abbes, K. Hoummada, D. Mangelinck and Véronique Carron

  • Manganese diffusion in monocrystalline germanium
    Scripta Materialia, 2012
    A. Portavoce, O. Abbes, Y. Rudzevich, L. Chow, V. Lethanh and C. Girardeaux
    http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2012.04.038
  • Effect of Mn thickness on the Mn-Ge phase formation during reactions of 50 nm and 210 nm thick Mn film
    Defect and Diffusion Forum, 2012
    O. Abbes, F. Xu, A. Portavoce, C. Girardeaux, K. Hoummada and V. Lethanh
    www.scientific.net/DDF.323-325.439
  • Etude de la formation des phases MnxGey par réaction diffusive pour des applications de la spintronique
    Recueil d'articles JNRDM, 2011
    O. Abbes et F. Xu
    ISSN 1774-0290
  • Sequential phase formation during reactive diffusion of a nanometric-thick Mn film on Ge (111)
    Solid State Phenomena, 2011
    O. Abbes, F. Xu, A. Portavoce, K. Hoummada, V. Lethanh, C. Girardeaux
    www.scientific.net/SSP.172-174.579
  • An unusual phenomenon of surface reaction observed during Ge overgrowth on Mn5Ge3/Ge(111) heterostructures
    New Journal of Physics, 2012
    M.-T. Dau, V. Le Thanh, L.A. Michez, M. Petit, T.-G. Le, O. Abbes, A. Spiesser and A. Ranguis
    http://iopscience.iop.org/1367-2630/14/10/103020/

Langues

Anglais : C2 - Courant

Français : C2 - Courant

Arabe : C2 - Maternel

Allemand : B1 - Intermédiaire