chercheur en entreprise, R&D du secteur privé*pilotage de la recherche et de l’innovation, gestion de projets innovants, pilotage de structures innovantes*métiers d’accompagnement et de support à la recherche, à l’innovation et à la valorisation, au développement des Spin Off et Start-up innovantes*expertise, études et conseils dans des organisations, cabinets ou sociétés fournissant des prestations intellectuelles, des expertises scientifiques, prospectives ou stratégiques*médiation scientifique, communication et journalisme scientifique, édition scientifique, relations internationales*

Coordonnées

Doctorat

Intitulé : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
1ère inscription en thèse : Octobre 2018 / 4A these 2021
École doctorale : SCIENCES POUR L'INGENIEUR : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Sujet : Caractérisation électrique et analyse de mémoires non-volatiles embarquées à base de matériaux ferroélectriques
Directeur de thèse : Marc BOCQUET
Co-directeur : Philippe CHIQUET
Unité de recherche : IM2NP - INSTITUT MATERIAUX MICROELECTRONIQUE NANOSCIENCES DE PROVENCE
Intitulé de l'équipe :

Master

Intitulé : Master de Sciences, Technologies, Santé mention Physique Chimie
Juin 2018 - Université de Reims-Champagne-Ardenne
Mention : Très Bien

Langues vivantes

Anglais : C1 - Avancé
Allemand : A2 - Élémentaire
Français : Maternel

Production scientifique

  • Evaluation of Ferroelectricity in Si-implanted HfO2 along Cycling
    SSDM 2018 2018
    T. Francois, J. Coignus, L. Grenouillet, M. Barlas, B. Bessif, N. Vaxelaire, H. Boutry, M. Coig, E. Vilain, N. Rambal, J.-M. Pedini, Y. Morand, F. Mazen, E. Nowak, F. Gaillard
    https://confit.atlas.jp/guide/event/ssdm2018/subject/C-6-02/detail?lang=en
  • Ferroelectric HfO2 for Memory Applications: Impact of Si Doping Technique and Bias Pulse Engineering on Switching Performance
    IMW 2019 2019
    T. Francois, J. Coignus, L. Grenouillet, J.P. Barnes, N. Vaxelaire, J. Ferrand, I. Bottala-Gambetta, M. Gros-Jean, S. Jeannot, P. Boivin, P. Chiquet, M. Bocquet, E. Nowak, F. Gaillard
    https://ieeexplore.ieee.org/document/8739664
  • Electrical characterization and analysis of Energy Efficient Embedded Non-volatile Memory based on Ferroelectric materials
    ISOE 2019 2019
    T. Francois, J. Coignus, P. Chiquet, M. Bocquet
  • Demonstration of BEOL-compatible ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 scaled FeRAM co-integrated with 130nm CMOS for embedded NVM applications
    2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2019
    T. Francois, L. Grenouillet, J. Coignus, P. Blaise, C. Carabasse, N. Vaxelaire, T. Magis, F. Aussenac, V. Loup, C. Pellissier, S. Slesazeck, V. Havel, C. Richter, A. Makosiej, B. Giraud, E. T. Breyer, M. Materano, P. Chiquet, M. Bocquet, E. Nowak, U. Schroeder, F. Gaillard
    doi: 10.1109/IEDM19573.2019.8993485
  • Nanosecond Laser Anneal (NLA) for Si-Implanted HfO2 Ferroelectric Memories Integrated in Back-End of Line (BEOL)
    2020 IEEE Symposium on VLSI Technology 2020
    L. Grenouillet, T. Francois, J. Coignus, S. Kerdilès, N. Vaxelaire, C. Carabasse, F. Mehmood, S. Chevalliez, C. Pellissier, F. Triozon, F. Mazen, G. Rodriguez, T. Magis, V. Havel, S. Slesazeck, F. Gaillard, U. Schroeder, E. Nowak
    doi: 10.1109/VLSITechnology18217.2020.9265061
  • TiN/Gd:HfO2/TiN capacitors grown by PEALD showing high endurance ferroelectric switching
    Applied Physics Letters 2020
    S. Belahcen, T. Francois, L. Grenouillet, A. Bsiesy, J. Coignus, M. Bonvalot
    https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0035706
  • Impact of area scaling on the ferroelectric properties of back-end of line compatible Hf0.5Zr0.5O2 and Si:HfO2-based MFM capacitors
    Applied Physics Letters 2021
    T. Francois, L. Grenouillet, J. Coignus, N. Vaxelaire, C. Carabasse, F. Aussenac, S. Chevalliez, S. Slesazeck, C. Richter, P. Chiquet, M. Bocquet, U. Schroeder, T. Mikolajick, F. Gaillard, E. Nowak
    https://doi.org/10.1063/5.0035650
  • 16kbit HfO2:Si-based 1T-1C FeRAM Arrays Demonstrating High Performance Operation and Solder Reflow Compatibility
    2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2021
    T. Francois, J. Coignus, A. Makosiej, B. Giraud, C. Carabasse, J. Barbot, S. Martin, N. Castellani, T. Magis, H. Grampeix, S. Van Duijn, C. Mounet, P. Chiquet, U. Schroeder, S. Slesazeck, T. Mikolajick, E. Nowak, M. Bocquet, N. Barrett, F. Andrieu, L. Grenouillet
    TBD
  • X-ray Diffraction Study of Electrically Aged HfO2 based Ferroelectric Capacitors
    Rayons X et Matière 2019 2019
    N. Vaxelaire, T. Francois, C. Mocuta, I. Bottala Gambetta, J. Coignus, L. Grenouillet
    //
  • Patent number US 20200194442: "Method for fabricating a ferroelectric memory and method for co-fabrication of a ferroelectric memory and of a resistive memory."
    // 2020
    L. Grenouillet, C. Charpin-Nicolle, J. Coignus, T. Francois, S. Kerdiles
    https://uspto.report/patent/grant/11,145,663