Madame Thi Kim Phuong LUONG / Docteur

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Doctorat

Titre : PHYSIQUE & SCIENCES DE LA MATIERE - Spécialité : MATIERE CONDENSEE et NANOSCIENCES

1ère inscription en thèse : 1 octobre 2010 / 4A

Ecole doctorale : Physique et Sciences de la Matière

Date de soutenance de thèse : 24 janvier 2014

Sujet : Croissance épitaxiale de germanium contraint en tension et fortement dopé type n pour des applications en opto-électronique intégrée sur silicium

Directeur de thèse : LE THANH Vinh

Co-directeur :

Unité de recherche : CINaM - Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille

Master

Titre : Licence

juin 2003 - Université de Hong Duc

Production scientifique

  • Control of tensile strain and interdiffusion in Ge/Si(001) epilayers grown by molecular-beam epitaxy
    Journal American of Physics (JAP), 2013
    T.K.P.LUONG

  • Molecular-beam epitaxial growth of tensile-strained and n-doped Ge/Si(001) films using a GaP decomposition source
    Thin Solid Films, 2013
    T.K.P. Luong, A. Ghrib, M.T. Dau, M.A. Zrir, M. Stoffel, V. Le Thanh , R. Daineche, T.G. Le, V. Heresanu, O. Abbes, M. Petit, M. El Kurdi, P. Boucaud, H. Rinnert, J. Murota

Langues

Anglais : C2 - Courant

Vietnamien : C2 - Maternel

Français : A2 - Élémentaire