Soutenance de thèse de SILVETTI Martino
Titre de thèse
Thermodynamique et propriétés optiques des défauts ponctuels dans le polymorphe wurtzite du nitrure de bore
Thermodynamics and optical properties of point defects in wurtzite Boron Nitride
Résumé de la thèse
Le nitrure de bore en forme de wurtzite (wBN ) est un polytype du nitrure de bore
résultant de la forme hexagonale stratifiée (hBN ) subissant une transition de phase
induite par une pression élevée. Ce matériau joue un rôle d'intermédiaire dans la
transformation de la phase hexagonale à la phase cubique (cBN ), et on a longtemps
cru qu'il s'agissait d'une forme métastable ne se produisant qu'à très haute pression.
C'est pourquoi les progrès de la recherche sur ce matériau ont pris du retard par
rapport aux efforts consacrés à l'étude du hBN et du cBN qui sont stables à la pression
ambiante et plus faciles à produire. Néanmoins, le wBN a récemment été stabilisé dans
des conditions ambiantes et des échantillons macroscopiques de taille millimétrique
ont été produits par transition directe à partir du hBN sous haute pression. Ces
nouvelles méthodes de synthèse ouvrent la voie à la possibilité de fabriquer et d'utiliser
ce matériau dans des applications optoélectroniques dans le domaine des UV dans
des conditions difficiles, puisqu'il s'agit d'un semi-conducteur super dur avec une
large bande interdite. Par conséquent, ce cristal est également intéressant en tant
qu'hôte potentiel d'états électroniques induits par des défauts, pour lesquels des
applications dans le domaine des technologies quantiques peuvent également être
envisagées, à l'instar des défauts actuellement étudiés dans hBN et cBN . En outre,
de petits domaines de wBN sont toujours présents dans les échantillons de cBN
avec d'autres polymorphes de nitrure de bore, ce qui affecte ses propriétés optiques.
L'objectif de cette thèse est de combler les lacunes dans la connaissance de wBN en
mettant particulièrement l'accent sur son potentiel en tant qu'hôte de défauts. Nous
présentons ici une étude totalement ab initio des propriétés électroniques et optiques
de wBN basée sur les approches bien établies de la Théorie du Fonctionnelle Densité
(DFT) et de la Théorie des Perturbation à N -Corps (MBPT). Après avoir introduit les
outils mathématiques nécessaires pour explorer les propriétés des états fondamentaux
et des états excités, nous étudions le matériau dans sa forme pure et primitive et nous
décrivons avec précision la structure électronique et la bande interdite, ainsi que la
fonction diélectrique incluant les effets excitoniques en utilisant l'équation de Bethe-
Salpeter (BSE). Cette étude est réalisée dans la gamme de pressions impliquées dans
la synthèse de wBN . Nous introduirons ensuite des défauts simples dans la structure
(lacunes, antisites et monomères et dimères à base de carbone) et nous utiliserons
le formalisme de l'énergie de formation pour étudier leur thermodynamique. Enfin,
le rôle des défauts dans la détermination des propriétés optiques du matériau est
évalué avec la diagonalisation de la BSE en utilisant comme base de départ les états de
Kohn-Sham, grâce à une procédure de remappage de l'écrantage statique du crystal
primitif qui a été développé et mis en œvre dans le numérique Yambopy
Thesis resume
Wurtzite boron nitride (wBN ) is a boron nitride polytype resulting from the layered
hexagonal form (hBN ) undergoing a high pressure-induced phase transition. This
material holds a role of intermediary in the hexagonal to cubic (cBN ) phase transfor-
mation, and it has been believed for a long time to be a metastable form occurring only
at very high pressure. For this reason the progress in the research on this material has
fallen behind when compared to the efforts spent in studying the hBN and cBN which
instead are stable at ambient pressure and easier to produce. Nontheless, recently
wBN has been stabilized at ambient conditions and macroscopic millimeter-size sam-
ples have been produced by direct transition from hBN under high pressure. These
new synthesis methods pave the way to the possibility of manufacturing and utilize
this material in optoelectronic applications in the UV range under harsh conditions
since it is a superhard semiconductor with a wide band gap. Therefore this crystal
is also interesting as a potential host for defect-induced electronic states for which
applications in the field of quantum technologies can be also envisaged similarly to
the defects currently studied in hBN and cBN . Moreover, small domains of wBN are
always present in cBN samples along with other boron nitride polymorphs, thus af-
fecting its optical properties. The scope of this thesis is to fill the gap in the knowledge
of wBN with a particular emphasis on its potential as a defect host. Here we present
a totally ab initio study of the electronic and optical properties of wBN based on
the well-established Density Functional Theory (DFT) and Many-Body Perturbation
Theory (MBPT) approaches. After having introduced the theoretical tools needed to
explore the ground and excited states properties, we study the material in its pristine
form and we accurately describe the electronic structure and band gap, together with
the dielectric function including excitonic effects by use of the Bethe-Salpeter equa-
tion (BSE). This study is carried out in the range of pressures involved in the wBN
synthesis. Then we will introduce simple defects in the structure (vacancies, antisites
and carbon-related monomers and dimers) and we will use the formation energy
formalism to study their thermodynamics. Finally the role of defects in determining
the optical properties of the material is assessed by mean of the BSE diagonalization
on top of DFT calculations, thanks to a remapping procedure for the pristine crystal
static screening that has been developed and implemented in the Yambopy code.