Coordonnées
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Techniques maîtrisées
HRTEM
STEM-HAADF
APT
Doctorat
Intitulé : PHYSIQUE & SCIENCES DE LA MATIERE - Spécialité : MATIERE CONDENSEE et NANOSCIENCES
1ère inscription en thèse :
Décembre 2010
École doctorale :
Physique et Sciences de la Matière
Date de soutenance de la thèse :
31 Janvier 2014
Sujet :
Étude de la ségrégation des contaminants métalliques dans le Silicium, aux interfaces des structures des technologies CMOS
Directeur de thèse :
Alain PORTAVOCE
Co-directeur :
Unité de recherche :
IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Intitulé de l'équipe :
Master
Intitulé : Master 2 MINELEC
Septembre 2010 - Faculté des sciences et techniques de St Jérôme
Mention : Bien
Langues vivantes
:
:
Production scientifique
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Direct epitaxial growth of -Ni2Si by reaction of thin Ni(10 at.%Pt) film with Si(100) substrate
Scripta Materialia
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F. Panciera, D. Mangelinck, K.Hoummada, M.Texier, M.Bertoglio, A. De Luca, M.Gregoire and M. Juhel
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Evidence of perfect dislocationsglide in nanoindented 4H-SiC
Journal of Physics: Conference Series
0
M. Texier, A. De Luca, B. Pichaud, M. Jublot, C. Tromas, J.L. Demenet and J. Rabier
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Dynamic segregation of metallic impurities at SiO2 /Si interfaces
Journal of Physics: Conference Series
0
A. De Luca, A. Portavoce, M. Texier, N. Burle and B. Pichaud
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Tungsten diffusion in silicon
Journal of Applied Physics
0
A. De Luca, A. Portavoce, M. Texier, C. Grosjean, N. Burle, V. Oison and B. Pichaud