Monsieur Jordan LOCATI / Docteur
chercheur en entreprise, R&D du secteur privé*
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Recherche : NON
Techniques maîtrisées
Microélectronique nanoélectronique
Doctorat
Titre : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique
1ère inscription en thèse : 12 March 2018 / 4A
Ecole doctorale : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
Date de soutenance de thèse : 23 septembre 2021
Sujet : Etude par modélisation et caractérisation d'architectures innovantes de transistors planaires pour les circuits logiques dans un environnement mémoires non volatiles embarquées
Directeur de thèse : COULIE Karine
Co-directeur : DELLA MARCA Vincenzo
Unité de recherche : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence
Master
Titre : Micro et nano électronique (MINELEC)
septembre 2017 - Aix-Marseille Université
Mention : Bien
Production scientifique
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TCAD investigation of zero-cost high voltage transistor architectures for logic memory circuits
SISPAD2019, 2019
JORDAN LOCATI . CHRISTIAN RIVERO . JULIEN DELALLEAU . VINCENZO DELLA MARCA . KARINE COULIE . JORDAN INNOCENTI . OLIVIER PAULET . ARNAUD REGNIER . STEPHAN NIEL
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AC stress reliability study on a novel vertical MOS transistor for non-volatile memory technology
Microelectronics Reliability, 2020
J. Locati1,2, V. Della Marca2, C. Rivero1, P. Fornara1, A. Regnier1, S. Niel1, K. Coulié2 1. STMicroelectronics, 190 avenue Célestin Coq, 13106 Rousset, France 2. Aix-Marseille University, CNRS, IM2NP UMR 7334-F, 13997 Marseille, France
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AC stress reliability study of a new high voltage
transistor for logic memory circuits
IRPS2020, 2020
J. Locati1,2, V. Della-Marca2, C. Rivero1, A. Regnier1, S. Niel1 and K. Coulie2 1. STMicroelectronics, 190 avenue Célestin Coq, 13106 Rousset, France 2. Aix-Marseille University, CNRS, IM2NP UMR 7334-F, 13997 Marseille, France
Langues
Français : Maternel