Monsieur Guéric ETESSE / Docteur

Enseignement et recherche, enseignement supérieur*Recherche en milieu académique*Recherche en entreprise, R&D du secteur privé*Pilotage de la recherche et de l'innovation, gestion de projets innovants, pilotage de structures innovantes*

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Recherche : NON

Doctorat

Titre : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique

1ère inscription en thèse : 1 March 2022 / 4A

Ecole doctorale : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique

Date de soutenance de thèse : 20 mai 2025

Sujet : nouvelle génération de nanodispositifs de refroidissement

Directeur de thèse : BESCOND Marc

Co-directeur :

Unité de recherche : Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Master

Titre : Physique fondamentale

décembre 2020 - Université François-Rabelais

Production scientifique

  • A novel machine learning workflow to optimize cooling devices grounded in solid-state physics
    Scientific Reports, 2024
    J. G. Fernandez, G. Etesse, N. Seoane1, E. Comesaña, K. Hirakawa, A. Garcia-Loureiro, and M. Bescond
    https://www.nature.com/articles/s41598-024-80212-9
  • Electron cooling behavior in cascading semiconductor double-quantum-well structures
    PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2024
    X. Zhu, C. Salhani, G. Etesse, N. Nagai, M. Bescond, F. Carosella, R. Ferreira, G. Bastard, and K. Hirakawa
    https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.22.034012
  • Selective energy filtering in a multiple-quantum-well nanodevice: The quantum cascade cooler
    PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2024
    G. Etesse, C. Salhani, X. Zhu, N. Cavassilas, K. Hirakawa, and M. Bescond
    https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.21.054010
  • Temperature-Induced Revolving Effect of Electronic Flow in Asymmetric Double-Barrier Semiconductor Heterostructures
    PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2023
    Céline Belabbas, Adeline Crépieux, Nicolas Cavassilas, Fabienne Michelini, Xiangyu Zhu, Chloé Salhani, Guéric Etesse, Kazuhiko Hirakawa, and Marc Bescond
    https://journals.aps.org/prapplied/abstract/10.1103/PhysRevApplied.20.014056

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