Monsieur Mehdi SALIGANE / PhD

Plusieurs axes de recherches ont été identifiés, le doctorant aura la responsabilité d'élargir si besoin la liste suivante. Chaque sujet étant en lui-même pour partie couvert pour des applications à tension nominale dans l'offre industrielle actuelle. *Optimisation architecturale spécifique à l'ULV *Compensation automatique des conditions environnementales *Generation de tension ULV intégrée à haut rendement éventuellement couplée a une modulation de la tension suivant l'activité

Contact details

Jobs

Availability : 2 2015

Additional information : football lecture guitare

Mobility : Tous les pays

Research : OUI

Techniques

Languages: C/C++, SKILL, VHDL. Software: Virtuoso, Cadence, Eldo, Matlab, LabView, Design Compiler, Encounter, Primetime, ncsim. Operating systems: Windows 98/XP/VISTA/7, UNIX, Linux, Solaris.

PhD

Title : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique

First registration date : 30 January 2012 / 5A

Doctoral school : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique

Thesis defense date : 21 September 2016

Subject : Conception a Tres Faible Tension en technologie avancée, vers une définition d'architecture de systèmes autonomes, optimisés spécifiquement pour la faible tension, comprenant la compensation des conditions environnementales et la variabilite

Thesis supervisor : AUTRAN Jean-Luc

Thesis co-supervisor :

Research unit : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Master's degree

Title : 3I, Bien

September 2009 - Polytech'Grenoble

Publications

  • All-digital embedded SoC thermal sensor using an on-chip high order temperature curvature correction
    ISSCC2015, 2014
    Mehdi Saligane, Mahmood Khayatzadeh, Yiqun Zhang, Seokhyeon Jeong, Jean-Luc Autran, David Blaauw, Dennis Sylvester

  • A 0.33V/-40°C Process/Temperature Closed-Loop Compensation SoC Embedding All-Digital Clock Multiplier and DC-DC Converter Exploiting FDSOI 28nm Back-Gate Biasing
    ISSCC2015, 2014
    Sylvain Clerc1, Mehdi Saligane1,2,3, Fady Abouzeid1, Martin Cochet1,2, Jean-Marc Daveau1, Cyril Bottoni1, David Bol4, Julien De- Vos4, Dominique Zamora5, Benjamin Coeffic1, Dimitri Soussan1, Damien Croain1, Mehdi Naceur6, Pierre Schamberger6, Philippe Roche1, Dennis Sylvester3 1STMicroelectronics, Crolles, France, 2Aix-Marseille University, Marseille,France, 3University of Michigan, Ann Arbor, MI, 4Universite Catholique de Louvain, Louvain La Neuve, Belgium, 5MAYA Technologies, Grenoble, France, 6EASii-IC, Grenoble, France

  • Experimental Model of Adaptive Body Biasing for Energy Efficiency in 28nm UTBB FD-SOI
    S3S 2014, 2014
    M. Cochet 1, 2, B. Pelloux-Prayer1, M. Saligane1, 2, 3, S. Clerc1, P. Roche1, J.-L. Autran2, D. Sylvester3; 1STMicroelectronics, Crolles, France, 2IM2NP – Aix-Marseille University, France, 3University of Michigan, Ann Arbor, MI

  • All-digital SoC Thermal Sensor using On-chip High Order Temperature Curvature Correction
    CICC2015, 2015
    Mehdi Saligane, Mahmood Khayatzadeh, Yiqun Zhang, Seokhyeon Jeong, David Blaauw, Dennis Sylvester

  • iRazor: 3-transistor current-based error detection and correction in an ARM Cortex-R4 processor
    ISSCC, 2016
    Yiqun Zhang; Mahmood Khayatzadeh; Kaiyuan Yang; Mehdi Saligane; Nathaniel Pinckney; Massimo Alioto; David Blaauw; Dennis Sylvester

  • A reconfigurable dual-port memory with error detection and correction in 28nm FDSOI
    ISSCC, 2016
    Mahmood Khayatzadeh; Mehdi Saligane; Jingcheng Wang; Massimo Alioto; David Blaauw; Dennis Sylvester

Languages

Arabe : C2 - Maternel

Anglais : C2 - Maternel