Monsieur Manel MOUSSAVOU MOUSSAVOU / PhD

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Research : NON

PhD

Title : Sciences pour l'ingénieur : spécialité Micro et Nanoélectronique

First registration date : 1 October 2014 / 3A

Doctoral school : Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique

Thesis defense date : 19 October 2017

Subject : Modélisation du transport quantique de transistors double-grille: influence de la contrainte, du matériau et de la diffusion par les phonons

Thesis supervisor : BESCOND Marc

Thesis co-supervisor : CAVASSILAS Nicolas

Research unit : IM2NP - Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence

Master's degree

Title : Micro et Nano-électronique

September 2014 - Université d'Aix-Marseille

Mention : B

Publications

  • Influence of uniaxial strain in Si and Ge p-type double-gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors
    Journal of Applied Physics, 2015
    Manel Moussavou, Nicolas Cavassilas, Elias Dib1, and Marc Bescond
    http://dx.doi.org/10.1063/1.4930567
  • Influence of mechanical strain in Si and Ge p-type double gate MOSFETs
    SISPAD Proceeding 2015, 2015
    M. Moussavou, N. Cavassilas, E. Dib and M. Bescond

Languages

Anglais : C1 - Avancé