Coordonnées
Expérience professionelle
Domaine d'activité : Physique
Type de contrat : CDD
Secteur d'emploi : Recherche-développement en sciences physiques et naturelles
Organisme de rattachement ou entreprise :
AMU
Ville : Marseille
Pays : FRANCE
Doctorat
Intitulé : SCIENCES DES MATERIAUX, PHYSIQUE, CHIMIE ET NANOSCIENCES
1ère inscription en thèse :
September 2009
École doctorale :
Physique et Sciences de la Matière
Date de soutenance de la thèse :
28 February 2013
Sujet :
Etude de la diffusion réactive entre Mn et Ge à l'échelle nanométrique pour des applications en spintronique
Directeur de thèse :
Christophe GIRARDEAUX
Co-directeur :
Alain PORTAVOCE
Unité de recherche :
IM2NP - INSTITUT MATERIAUX MICROELECTRONIQUE NANOSCIENCES DE PROVENCE
Intitulé de l'équipe :
Master
Intitulé : Microélectronique et Nanoélectronique
September 2009 - Universités de Provence
Mention : Bien
Langues vivantes
Anglais : Bilingue
Français : Bilingue
Arabe : Maternel
Allemand : Moyen
Production scientifique
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Formation of Platinum silicide on doped silicon: kinetics and stress
Thin Solid Films
2012
O. Abbes, K. Hoummada, D. Mangelinck and Véronique Carron
-
Manganese diffusion in monocrystalline germanium
Scripta Materialia
2012
A. Portavoce, O. Abbes, Y. Rudzevich, L. Chow, V. Lethanh and C. Girardeaux
http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2012.04.038
-
Effect of Mn thickness on the Mn-Ge phase formation during reactions of 50 nm and 210 nm thick Mn film
Defect and Diffusion Forum
2012
O. Abbes, F. Xu, A. Portavoce, C. Girardeaux, K. Hoummada and V. Lethanh
www.scientific.net/DDF.323-325.439
-
Etude de la formation des phases MnxGey par réaction diffusive pour des applications de la spintronique
Recueil darticles JNRDM
2011
O. Abbes et F. Xu
ISSN 1774-0290
-
Sequential phase formation during reactive diffusion of a nanometric-thick Mn film on Ge (111)
Solid State Phenomena
2011
O. Abbes, F. Xu, A. Portavoce, K. Hoummada, V. Lethanh, C. Girardeaux
www.scientific.net/SSP.172-174.579
-
An unusual phenomenon of surface reaction observed during Ge overgrowth on Mn5Ge3/Ge(111) heterostructures
New Journal of Physics
2012
M.-T. Dau, V. Le Thanh, L.A. Michez, M. Petit, T.-G. Le, O. Abbes, A. Spiesser and A. Ranguis
http://iopscience.iop.org/1367-2630/14/10/103020/